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电子元器件详细资料 » IC[27587] » SI8435DB-T1-E1
型号:SI8435DB-T1-E1类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:4-XFBGA,CSPBGA描述:MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C41 毫欧 @ 1A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs35nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1600pF @ 10V
功率_最大6.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳4-XFBGA,CSPBGA
供应商设备封装4-Microfoot
包装Digi-Reel®

供应商

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SI8435DB-T1-E1相关型号

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